Intel y Micron Technology han presentado la primera tecnología mundial de memoria flash NAND de 25 nanómetros, que aumenta la capacidad de almacenamiento en dispositivos como smartphones, reproductores multimedia o discos duros de estado sólido (SSD) en un espacio físico mínimo. Las memorias NAND serán fabricadas por IM Flash Technologies (IMFT), la joint venture creada por Intel y Micron para ese fin. El dispositivo de 25 nm y 8 GB ya se encuentra en la fase de muestra y la etapa de producción generalizada comenzará en el segundo trimestre de 2010.
La memoria flash NAND puede retener la información incluso cuando los equipos están desconectados. Además, el espacio se reduce al mínimo: una memoria de 8 gigabytes (GB) ocupa apenas 167 mm2 , tan pequeña como para caber en el agujero de un CD, aunque multiplica por diez la cantidad de datos de un CD estándar (unos 700 MB). Intel y Micron han duplicado la densidad de la tecnología NAND aproximadamente cada 18 meses, para lograr unos productos más pequeños, más rentables y con mayor capacidad.
El nuevo dispositivo de 25nm y 8GB reduce el número de chips en un 50% en comparación con las generaciones de proceso anterior, lo que permite unos diseños más pequeños, con mayor densidad y un mayor ahorro. De esta manera, se podrá contar con una unidad de estado sólido de 256 GB con tan sólo 32 dispositivos de este tipo (en vez de los 64 necesarios hasta la fecha), un smartphone de 32 GB tan sólo necesita cuatro, y una tarjeta flash de 16 GB precisa únicamente de dos. Según Brian Shirley, vicepresidente del grupo de memoria en Micron, “Esta tecnología de producción va a ofrecer unos beneficios importantes a nuestros clientes gracias al desarrollo de unas soluciones de medios de mayor densidad”.